JFETs - onsemi - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 40

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

40 / 41 Страницы，Всего 484 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
2SK3796-3-TL-E	onsemi	JFET N-CH 10MA SMCP	335772	RFQ	Bulk	Obsolete	Подробности
TF202THC-3-TL-HX	onsemi	JFET N-CH 1MA 100MW VTFP	4447	RFQ	Bulk	Obsolete	Подробности
TF408-3-TL-HX	onsemi	JFET N-CH 10MA 30MW USFP	6387	RFQ	Bulk	Obsolete	Подробности
2SK2394-7-FRD-TB-E	onsemi	JFET N-CH SC-59-3	3850	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
MMBF5485_NB50012	onsemi	IC POWER MANAGEMENT	5839	RFQ	Bulk	Obsolete	Подробности
5185_2N4391	onsemi	JFET N-CH	4225	RFQ	Bulk	Obsolete	Подробности
MMBFJ177_G	onsemi	JFET P-CH 30V SOT23-3	8647	RFQ	Bulk	Obsolete	Подробности
MMBFJ201_G	onsemi	JFET N-CH 40V SOT23-3	7623	RFQ	Bulk	Obsolete	Подробности
8885_2N5115	onsemi	JFET P-CH	9069	RFQ	Bulk	Obsolete	Подробности
2SK2394-7-TB-E	onsemi	JFET N-CH 50MA 3CP	2152	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
2SK2394-7-TB-E	onsemi	JFET N-CH 50MA 3CP	81000	RFQ	Bulk	Obsolete	Подробности
2SK545-11D-TB-E	onsemi	JFET N-CH 1MA SMCP	3787	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности

40 / 41 Страницы，Всего 484 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.